Документ 908-2011-п, чинний, поточна редакція — Прийняття від 31.08.2011
( Остання подія — Набрання чинності, відбулась 08.09.2011. Подивитися в історії? )

                                                          
КАБІНЕТ МІНІСТРІВ УКРАЇНИ
П О С Т А Н О В А
від 31 серпня 2011 р. N 908
Київ
Про внесення змін до постанови
Кабінету Міністрів України
від 21 листопада 2007 р. N 1355

Кабінет Міністрів України п о с т а н о в л я є:
Внести до постанови Кабінету Міністрів України від
21 листопада 2007 р. N 1355 ( 1355-2007-п ) "Про затвердження
Державної цільової науково-технічної програми "Розроблення і
освоєння мікроелектронних технологій, організація серійного
випуску приладів і систем на їх основі" на 2008-2011 роки"
(Офіційний вісник України, 2007 р., N 90, ст. 3305) зміни, що
додаються.

Прем'єр-міністр України М.АЗАРОВ
Інд. 70

ЗАТВЕРДЖЕНО
постановою Кабінету Міністрів України
від 31 серпня 2011 р. N 908
ЗМІНИ,
що вносяться
до постанови Кабінету Міністрів України
від 21 листопада 2007 р. N 1355
( 1355-2007-п )

1. У назві та пункті 1 постанови цифри "2008-2011" замінити
цифрами "2008-2012".
2. У Державній цільовій науково-технічній програмі
"Розроблення і освоєння мікроелектронних технологій, організація
серійного випуску приладів і систем на їх основі" на
2008-2011 роки" ( 1355-2007-п ), затвердженій зазначеною
постановою:
1) у назві Програми ( 1355-2007-п ) цифри "2008-2011"
замінити цифрами "2008-2012";
2) у розділі "Обсяги та джерела фінансування":
в абзаці другому цифри і слова "2011 році - 13,3 млн.,"
замінити цифрами і словами "2011 - 13,3 млн., 2012 році -
9,8 млн.,";
абзац третій виключити;
3) у додатках до Програми ( 1355-2007-п ):
у додатку 1:
у назві та пункті 6 додатка цифри "2008-2011" замінити
цифрами "2008-2012";
пункти 4 і 7 викласти у такій редакції:
"4. Керівник Програми - Голова Держінформнауки.";
"7. Прогнозні обсяги та джерела фінансування, млн. гривень:
------------------------------------------------------------------ | Джерела | Обсяг | У тому числі за роками | | фінансування |фінансування |--------------------------------| | | | 2008 | 2009 |2010 |2011 | 2012 | |-----------------+-------------+------+------+-----+-----+------| |Державний бюджет | 69,8 |15,35 |16,25 |15,1 |13,3 | 9,8 | |-----------------+-------------+------+------+-----+-----+------| |Інші джерела | 21,1 | 5 | 5 | 5 | 5 | 1,1 | |-----------------+-------------+------+------+-----+-----+------| |Усього | 90,9 |20,35 |21,25 |20,1 |18,3 |10,9";| ------------------------------------------------------------------
у додатку 2:
графи "Значення показника" та "У тому числі за роками"
доповнити підграфою "2012";
пункт 2 викласти у такій редакції:
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ | Найменування | Найменування | Значення показника | Найменування | Головний | Джерела | Прогнозний | У тому числі за роками | | завдання | показника |-----------------------------------------| заходу |розпорядник|фінансу- | обсяг | | | | |усього| за роками | | бюджетних | вання | фінансових | | | | | |----------------------------------| | коштів | |ресурсів для|------------------------------------| | | | | 2008 | 2009 | 2010 | 2011 | 2012 | | | | виконання | 2008 | 2009 | 2010 | 2011 | 2012 | | | | | | | | | | | | | завдань, | | | | | | | | | | | | | | | | | |млн. гривень| | | | | | |-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------+------------------+-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------| |2. Створення |дослідно- | 2 | 1 | | 1 | | |1) розроблення |Національна|державний| 4,41 | 1,15 | 1,27 | 1,09 | 0,9 | | |принципово нових |конструкторські| | | | | | |технології |академія |бюджет | | | | | | | |матеріалів, у |роботи | | | | | | |одержання нових |наук | | | | | | | | |тому числі | | | | | | | |напівпровідникових| | | | | | | | | |наноматеріалів, | | | | | | | |матеріалів на | | | | | | | | | |компонентів | | | | | | | |основі квантових | | | | | | | | | |для | | | | | | | |точок | | | | | | | | | |мікроелектроніки | | | | | | | |халькогенідів для | | | | | | | | | | | | | | | | | |створення емітерів| | | | | | | | | | | | | | | | | |світла видимого і | | | | | | | | | | | | | | | | | |ближнього | | | | | | | | | | | | | | | | | |інфрачервоного | | | | | | | | | |-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------|діапазону |-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------| | |нові види | 2 | | 1 | | 1 | |(500-1400 нм) | | | | | | | | | | |матеріалів | | | | | | |з регульованим | | | | | | | | | | | | | | | | | |спектром | | | | | | | | | | | | | | | | | |випромінювання. | | | | | | | | | | | | | | | | | |Виготовлення | | | | | | | | | | | | | | | | | |дослідних зразків | | | | | | | | | | | | | | | | | |світлодіодів | | | | | | | | | |-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------+------------------+-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------| | |дослідно- | 1 | 1 | | | | |2) розроблення | | -"- | 5,25 | 1,5 | 1,4 | 1,25 | 1,1 | | | |конструкторські| | | | | | |технології | | | | | | | | | | |роботи | | | | | | |виготовлення | | | | | | | | | | | | | | | | | |нанокераміки на | | | | | | | | | | | | | | | | | |основі важких | | | | | | | | | | | | | | | | | |оксидів | | | | | | | | | | | | | | | | | |рідкісноземельних | | | | | | | | | | | | | | | | | |металів для | | | | | | | | | | | | | | | | | |реєстрації | | | | | | | | | | | | | | | | | |іонізуючого | | | | | | | | | | | | | | | | | |випромінювання. | | | | | | | | | |-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------+------------------+-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------| | |технологічні | 1 | | | 1 | | |Розроблення | | | | | | | | | | |регламенти | | | | | | |технологічного | | | | | | | | | | | | | | | | | |регламенту | | | | | | | | | | | | | | | | | |виготовлення | | | | | | | | | | | | | | | | | |нанокераміки. | | | | | | | | | | | | | | | | | |Випуск дослідної | | | | | | | | | | | | | | | | | |партії | | | | | | | | | | | | | | | | | |сцинтиляційних | | | | | | | | | | | | | | | | | |елементів для | | | | | | | | | | | | | | | | | |реєстрації | | | | | | | | | | | | | | | | | |рентгенівських та | | | | | | | | | | | | | | | | | |гамма-квантів | | | | | | | | | |-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------+------------------+-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------| | |дослідно- | 3 | 1 | | 1 | | 1 |3) розроблення | |державний| 22,9 | 3,1 | 3,5 | 3,4 | 3,1 | 9,8 | | |конструкторські| | | | | | |технології | |бюджет | | | | | | | | |роботи | | | | | | |отримання | | | | | | | | | | | | | | | | | |високоякісних | | | | | | | | | | | | | | | | | |підкладок із | | | | | | | | | | | | | | | | | |сапфіру для | | | | | | | | | |-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------|структур кремній |-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------| | |технології | 3 | | 1 | | 1 | 1 |на сапфірі, для | | | | | | | | | | |світового | | | | | | |світлодіодів та | | | | | | | | | | |рівня | | | | | | |інших | | | | | | | | | | | | | | | | | |комплектуючих | | | | | | | | | |-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------|приладів |-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------| | |технологічні | 2 | | | | | 2 |мікроелектроніки. | | | | | | | | | | |регламенти | | | | | | |Створення | | | | | | | | | | | | | | | | | |дослідно- | | | | | | | | | | | | | | | | | |промислової | | | | | | | | | | | | | | | | | |ділянки і | | | | | | | | | | | | | | | | | |виготовлення | | | | | | | | | |-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------+------------------+-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------| | | | | | | | | |підкладок із | | | | | | | | | | | | | | | | | |кристалів, | | | | | | | | | | | | | | | | | |вирощених різними | | | | | | | | | | | | | | | | | |методами для | | | | | | | | | | | | | | | | | |великих | | | | | | | | | | | | | | | | | |інтегральних схем,| | | | | | | | | | | | | | | | | |світлодіодів | | | | | | | | | | | | | | | | | |тощо | | | | | | | | | |-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------+------------------+-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------| | | | | | | | | | | |інші | 8,1 | 1,75 | 1,75 | 1,75 | 1,75 | 1,1 | |-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------+------------------+-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------| | | | | | | | | | |разом | | 31 | 4,85 | 5,25 | 5,15 | 4,8 | 10,9 | |-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------+------------------+-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------| | |дослідно- | 2 | 1 | | 1 | | |4) розроблення | |державний| 1,52 | 0,4 | 0,46 | 0,35 | 0,31 | | | |конструкторські| | | | | | |іонно-плазмової | |бюджет | | | | | | | | |роботи | | | | | | |технології | | | | | | | | | | | | | | | | | |одержання | | | | | | | | | | | | | | | | | |кристалічних | | | | | | | | | | | | | | | | | |плівок SiC на | | | | | | | | | | | | | | | | | |кремнієвих і | | | | | | | | | |-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------|сапфірових |-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------| | |технології | 1 | | 1 | | | |підкладках для | | | | | | | | | | |світового | | | | | | |створення | | | | | | | | | | |рівня | | | | | | |фотоперетворюючих | | | | | | | | | | | | | | | | | |приладів | | | | | | | | | | | | | | | | | |авіаційної і | | | | | | | | | | | | | | | | | |атомної | | | | | | | | | |-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------+------------------+-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------| | | | | | | | | |промисловості. | | | | | | | | | | | | | | | | | |Виготовлення та | | | | | | | | | | | | | | | | | |натурні | | | | | | | | | | | | | | | | | |випробування | | | | | | | | | | | | | | | | | |макетів | | | | | | | | | |-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------+------------------+-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------| | | | | | | | | |ультрафіолетових | | | | | | | | | | | | | | | | | |сенсорів у | | | | | | | | | | | | | | | | | |широкому діапазоні| | | | | | | | | | | | | | | | | |термічних та | | | | | | | | | | | | | | | | | |радіаційних дій | | | | | | | | | |-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------+------------------+-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------| |Разом | | | | | | | | | | | 42,18 | 7,9 | 8,38 | 7,84 | 7,16 | 10,9 | |за завданням 2 | | | | | | | | | | | | | | | | | |-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------+------------------+-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------| |у тому числі | | | | | | | | | |державний| 34,08 | 6,15 | 6,63 | 6,09 | 5,41 | 9,8 | | | | | | | | | | | |бюджет | | | | | | | |-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------+------------------+-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------| | | | | | | | | | | |інші | 8,1 | 1,75 | 1,75 | 1,75 | 1,75 | 1,1";| ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
позицію "Усього за Програмою" викласти у такій редакції:
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ |"Усього за | | | | | | | | | | | 90,9 | 20,35 | 21,25 | 20,1 | 18,3 | 10,9 | |Програмою | | | | | | | | | | | | | | | | | |-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------+------------------+-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------| |у тому числі | | | | | | | | | |державний| 69,8 | 15,35 | 16,25 | 15,1 | 13,3 | 9,8 | | | | | | | | | | | |бюджет | | | | | | | |-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------+------------------+-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------| | | | | | | | | | | |інші | 21,1 | 5 | 5 | 5 | 5 | 1,1";| ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
у додатку 3:
графу "Значення показників" доповнити підграфою "2012";
пункт 2 викласти у такій редакції:
------------------------------------------------------------------ | "Найменування | Найменування | Значення показників | | завдання | показника |-------------------------------| | | |усього| у тому числі за роками | | | | |------------------------| | | | |2008|2009|2010|2011|2012| |----------------+---------------+------+----+----+----+----+----| |2. Створення |дослідно- | 8 | 4 | | 3 | | 1 | |принципово нових|конструкторські| | | | | | | |матеріалів, у |роботи | | | | | | | |тому числі |---------------+------+----+----+----+----+----| |наноматеріалів, |технології | 4 | | 2 | | 1 | 1 | |компонентів для |світового рівня| | | | | | | |мікроелектроніки|---------------+------+----+----+----+----+----| | |технологічні | 3 | | | 1 | | 2 | | |регламенти | | | | | | | | |---------------+------+----+----+----+----+----| | |нові види | 2 | | 1 | |1"; | | | |матеріалів | | | | | | | ------------------------------------------------------------------
позицію "Усього" викласти у такій редакції:
------------------------------------------------------------------ | "Найменування | Найменування | Значення показників | | завдання | показника |-------------------------------| | | |усього| у тому числі за роками | | | | |------------------------| | | | |2008|2009|2010|2011|2012| |----------------+---------------+------+----+----+----+----+----| |Усього |дослідно- | 33 | 15 | 8 | 8 | 1 | 1 | | |конструкторські| | | | | | | | |роботи | | | | | | | | |---------------+------+----+----+----+----+----| | |технології | 27 | 2 | 5 | 12 | 7 | 1 | | |світового рівня| | | | | | | | |---------------+------+----+----+----+----+----| | |технологічні | 22 | 3 | 3 | 7 | 7 | 2 | | |регламенти | | | | | | | | |---------------+------+----+----+----+----+----| | |нові види | 8 | | 1 | 3 | 4 | | | |матеріалів | | | | | | | |----------------+---------------+------+----+----+----+----+----| | |нові види | 7 | 1 | | 1 |5". | | | |приладів | | | | | | | ------------------------------------------------------------------



вгору